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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMP2060UFDB-7
DMP2060UFDB-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP2060UFDB-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP2060UFDB-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP2060UFDB-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
DMP2060UFDB.pdf
État RoHS
En stock: 113620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP2060UFDB-7
Diodes Incorporated - DMP2060UFDB-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP2060UFDB-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-DFN2020-6 (Type B)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Puissance - Max 1.4W  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 881pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 8V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base DMP2060  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP2060UFDB-7

Attributs du produit DMP2060UFDB-7 DMP2066LSD-13 DMP2065UFDB-7 DMP2042UCB4-7
Modèle de produit DMP2060UFDB-7 DMP2066LSD-13 DMP2065UFDB-7 DMP2042UCB4-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 8V 10.1nC @ 4.5V 9.1nC @ 4.5V 2.5 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base DMP2060 DMP2066LSD DMP2065 DMP2042
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Fonction FET - Logic Level Gate - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-UDFN Exposed Pad 4-UFBGA, WLBGA
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20 V
Puissance - Max 1.4W 2W 1.54W -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur U-DFN2020-6 (Type B) 8-SO U-DFN2020-6 (Type B) U-WLB1010-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A 5.8A 4.5A (Ta) 4.6A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 881pF @ 10V 820pF @ 15V 752pF @ 15V 218 pF @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 40mOhm @ 4.6A, 4.5V 50mOhm @ 2A, 4.5V 45mOhm @ 1A, 4.5V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -

Fiche technique DMP2060UFDB-7 PDF

Téléchargez DMP2060UFDB-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP2060UFDB-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
DMP2060UFDB.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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