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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP2004TK
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP2004TK - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP2004TK
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP2004TK
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE
Description détaillée
Emballage
SOT-523
Fiche technique
DMP2004TK.pdf
En stock: 5420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP2004TK
Diodes Incorporated - DMP2004TK Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP2004TK

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-523  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 230mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-523  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 47 pF @ 16 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.97 nC @ 8 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 430mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP2004TK

Attributs du produit DMP2004TK DMP2005UFG-13 DMP2004TK-7 DMP2004WK-7
Modèle de produit DMP2004TK DMP2005UFG-13 DMP2004TK-7 DMP2004WK-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.97 nC @ 8 V 125 nC @ 10 V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 430mA (Ta) 89A (Tc) 430mA (Ta) 400mA (Ta)
Package composant fournisseur SOT-523 PowerDI3333-8 SOT-523 SOT-323
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 47 pF @ 16 V 4670 pF @ 10 V 175 pF @ 16 V 175 pF @ 16 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 230mW (Ta) 2.2W (Ta) 150mW (Ta) 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V 4mOhm @ 15A, 4.5V 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Package / Boîte SOT-523 8-PowerVDFN SOT-523 SC-70, SOT-323
Vgs (Max) ±8V ±10V ±8V ±8V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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