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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP1555UFA-7B
DMP1555UFA-7B Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP1555UFA-7B - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP1555UFA-7B
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP1555UFA-7B
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Description détaillée
Emballage
3-XFDFN
Fiche technique
DMP1555UFA.pdf
État RoHS
En stock: 533400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP1555UFA-7B
Diodes Incorporated - DMP1555UFA-7B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP1555UFA-7B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur X2-DFN0806-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 200mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta)  
Package / Boîte 3-XFDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 55.4 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.84 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)  
Numéro de produit de base DMP1555  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP1555UFA-7B

Attributs du produit DMP1555UFA-7B DMP1245UFCL-7 DMP2002UPS-13 DMP1100UCB4-7
Modèle de produit DMP1555UFA-7B DMP1245UFCL-7 DMP2002UPS-13 DMP1100UCB4-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.84 nC @ 4.5 V 26.1 nC @ 8 V 585 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur X2-DFN0806-3 X1-DFN1616-6 (Type E) PowerDI5060-8 (Type K) X2-WLB0808-4
Vgs (Max) ±8V ±8V ±12V ±8V
Package / Boîte 3-XFDFN 6-PowerUFDFN 8-PowerTDFN 4-XFBGA, WLBGA
Tension drain-source (Vdss) 12 V 12 V 20 V 12 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 10V 1.3V, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta) 6.6A (Ta) 60A (Tc) 2.5A (Ta)
Numéro de produit de base DMP1555 DMP1245 DMP2002 DMP1100
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 950mV @ 250µA 1.4V @ 250µA 800mV @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 200mA, 4.5V 29mOhm @ 4A, 4.5V 1.9mOhm @ 25A, 10V 83mOhm @ 3A, 4.5V
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta) 613mW (Ta) 2.3W (Ta) 670mW (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 55.4 pF @ 10 V 1357.4 pF @ 10 V 12826 pF @ 10 V 820 pF @ 6 V

Fiche technique DMP1555UFA-7B PDF

Téléchargez DMP1555UFA-7B PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP1555UFA-7B - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
DMP1555UFA.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-DMP1555UFA-7B

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