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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMNH6008SCT
DMNH6008SCT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMNH6008SCT - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMNH6008SCT
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMNH6008SCT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
DMNH6008SCT.pdf
État RoHS
En stock: 33860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMNH6008SCT
Diodes Incorporated - DMNH6008SCT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMNH6008SCT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) 20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 210W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2596 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc)  
Numéro de produit de base DMNH6008  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMNH6008SCT

Attributs du produit DMNH6008SCT DMNH6008SPS-13 DMNH10H028SPS-13 DMNH6008SPSQ-13
Modèle de produit DMNH6008SCT DMNH6008SPS-13 DMNH10H028SPS-13 DMNH6008SPSQ-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 40.1 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 40.1 nC @ 10 V
Numéro de produit de base DMNH6008 DMNH6008 DMNH10 DMNH6008
Dissipation de puissance (max) 210W (Tc) 3.3W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Séries Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V
Package composant fournisseur TO-220-3 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2596 pF @ 30 V 2597 pF @ 30 V 2245 pF @ 50 V 2597 pF @ 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc) 16.5A (Ta), 88A (Tc) 40A (Tc) 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) 20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique DMNH6008SCT PDF

Téléchargez DMNH6008SCT PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMNH6008SCT - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
DMNH6008SCT.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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