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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMN6066SSDQ-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN6066SSDQ-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN6066SSDQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN6066SSDQ-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
DMN6066SSD.pdf
En stock: 81250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN6066SSDQ-13
Diodes Incorporated - DMN6066SSDQ-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN6066SSDQ-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 4.5A, 10V  
Puissance - Max 1.25W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 502pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base DMN6066  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN6066SSDQ-13

Attributs du produit DMN6066SSDQ-13 DMN6066SSD-13 DMN6040SVT-7 DMN6068LK3
Modèle de produit DMN6066SSDQ-13 DMN6066SSD-13 DMN6040SVT-7 DMN6068LK3
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Puissance - Max 1.25W (Ta) 1.8W - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 502pF @ 30V 502pF @ 30V 1287 pF @ 25 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 4.5A, 10V 66mOhm @ 4.5A, 10V 44mOhm @ 4.3A, 10V -
Numéro de produit de base DMN6066 DMN6066 DMN6040 -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Ta) 3.3A 5A (Ta) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 10V 10.3nC @ 10V 22.4 nC @ 10 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA -
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SO TSOT-26 -
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 60 V -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Fonction FET - Logic Level Gate - -

Fiche technique DMN6066SSDQ-13 PDF

Téléchargez DMN6066SSDQ-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN6066SSDQ-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
DMN6066SSD.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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