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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMN6040SK3-13
DMN6040SK3-13 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN6040SK3-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN6040SK3-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN6040SK3-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 60V 20A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
DMN6040SK3.pdf
État RoHS
En stock: 187500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN6040SK3-13
Diodes Incorporated - DMN6040SK3-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN6040SK3-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1287 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base DMN6040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN6040SK3-13

Attributs du produit DMN6040SK3-13 DMN6040SFDE-7 DMN601WK-7 DMN6040SSS-13
Modèle de produit DMN6040SK3-13 DMN6040SFDE-7 DMN601WK-7 DMN6040SSS-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Séries - - - -
Numéro de produit de base DMN6040 DMN6040 DMN601 DMN6040
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-252-3 U-DFN2020-6 (Type E) SOT-323 8-SO
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1287 pF @ 25 V 1287 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 1287 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 5.3A (Ta) 300mA (Ta) 5.5A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 660mW (Ta) 200mW (Ta) 1.5W (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6-PowerUDFN SC-70, SOT-323 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 20A, 10V 38mOhm @ 4.3A, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 4.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V 22.4 nC @ 10 V - 22.4 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique DMN6040SK3-13 PDF

Téléchargez DMN6040SK3-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN6040SK3-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Feuilles de données
DMN6040SK3.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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