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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMN5L06VK-7
DMN5L06VK-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN5L06VK-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN5L06VK-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN5L06VK-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
DMN5/L06VK,VAK/010VAK.pdf
État RoHS
En stock: 282680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN5L06VK-7
Diodes Incorporated - DMN5L06VK-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN5L06VK-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-563  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V  
Puissance - Max 250mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 50V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 280mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base DMN5L06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN5L06VK-7

Attributs du produit DMN5L06VK-7 DMN5L06VA-7 DMN5L06VK-7A DMN5L06VKQ-7
Modèle de produit DMN5L06VK-7 DMN5L06VA-7 DMN5L06VK-7A DMN5L06VKQ-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Package composant fournisseur SOT-563 SOT-563 SOT-563 SOT-563
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 280mA 280mA 280mA (Ta) 280mA (Ta)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Standard Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base DMN5L06 DMN5L06 - DMN5L06
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V 3Ohm @ 200mA, 2.7V 2Ohm @ 50mA, 5V 2Ohm @ 50mA, 5V
Tension drain-source (Vdss) 50V 50V 50V 50V
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 250mW 150mW 250mW 250mW
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V

Fiche technique DMN5L06VK-7 PDF

Téléchargez DMN5L06VK-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN5L06VK-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 7/Apr/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Feb/2022.pdf
PCN Autre
Subs 2-17-2023.pdf
Feuilles de données
DMN5/L06VK,VAK/010VAK.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMN5L06VK-7

Diodes Incorporated
32D-DMN5L06VK-7

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