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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMN53D0LQ-13
DMN53D0LQ-13 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN53D0LQ-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN53D0LQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN53D0LQ-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
DMN53D0LQ.pdf
État RoHS
En stock: 1242450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN53D0LQ-13
Diodes Incorporated - DMN53D0LQ-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN53D0LQ-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 370mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta)  
Numéro de produit de base DMN53  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN53D0LQ-13

Attributs du produit DMN53D0LQ-13 DMN4800LSSQ-13 DMN53D0U-7 DMN55D0UT-7
Modèle de produit DMN53D0LQ-13 DMN4800LSSQ-13 DMN53D0U-7 DMN55D0UT-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 8-SO SOT-23-3 SOT-523
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 370mW (Ta) 1.46W (Ta) 520mW (Ta) 200mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±12V ±12V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base DMN53 DMN4800 DMN53 DMN55
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 14mOhm @ 9A, 10V 2Ohm @ 50mA, 5V 4Ohm @ 100mA, 4V
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - -
Tension drain-source (Vdss) 50 V 30 V 50 V 50 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta) 8.6A (Ta) 300mA (Ta) 160mA (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V 8.7 nC @ 5 V 0.6 nC @ 4.5 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 5V 2.5V, 4V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-523
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46 pF @ 25 V 798 pF @ 10 V 37.1 pF @ 25 V 25 pF @ 10 V

Fiche technique DMN53D0LQ-13 PDF

Téléchargez DMN53D0LQ-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN53D0LQ-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
DMN53D0LQ.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMN53D0LQ-13

Diodes Incorporated
32D-DMN53D0LQ-13

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