Spécifications
Spécifications techniques DMN2600UFB-7
Diodes Incorporated - DMN2600UFB-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN2600UFB-7
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
Diodes Incorporated |
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| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±8V |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Package composant fournisseur |
X1-DFN1006-3 |
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| Séries |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
350mOhm @ 200mA, 4.5V |
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| Dissipation de puissance (max) |
540mW (Ta) |
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| Package / Boîte |
3-UFDFN |
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| Emballer |
Tape & Reel (TR) |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
70.13 pF @ 15 V |
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| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
0.85 nC @ 4.5 V |
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| type de FET |
N-Channel |
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| Fonction FET |
- |
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| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
1.8V, 4.5V |
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| Tension drain-source (Vdss) |
25 V |
|
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
1.3A (Ta) |
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| Numéro de produit de base |
DMN2600 |
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Mode de transport
Délai de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
- Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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DMN2500UFB4-7 MOSDiodes Incorporated
DMN26D0UTMSV
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
DMN24H11DS-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R