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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMN2028UFU-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN2028UFU-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN2028UFU-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN2028UFU-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6
Description détaillée
Emballage
6-UFDFN Exposed Pad
Fiche technique
DMN2028UFU.pdf
État RoHS
En stock: 191800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN2028UFU-7
Diodes Incorporated - DMN2028UFU-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN2028UFU-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-DFN2030-6 (Type B)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 887pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.4nC @ 8V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base DMN2028  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN2028UFU-7

Attributs du produit DMN2028UFU-7 DMN2028UFDH-7 DMN2024UDH-7 DMN2029USD-13
Modèle de produit DMN2028UFU-7 DMN2028UFDH-7 DMN2024UDH-7 DMN2029USD-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerUDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries - Automotive, AEC-Q101 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 887pF @ 10V 151pF @ 10V 647pF @ 10V 1171pF @ 10V
Package composant fournisseur U-DFN2030-6 (Type B) PowerDI3030-8 U-DFN3030-8 8-SO
Puissance - Max 900mW 1.1W 950mW (Ta) 1.2W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.4nC @ 8V 8.5nC @ 4.5V 7.1nC @ 4.5V 18.6nC @ 8V
Numéro de produit de base DMN2028 DMN2028 DMN2024 DMN2029
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A 6.8A 5.2A (Ta) 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V 20mOhm @ 4A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 4.5V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique DMN2028UFU-7 PDF

Téléchargez DMN2028UFU-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN2028UFU-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019.pdf
Feuilles de données
DMN2028UFU.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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