Spécifications techniques DMN2022UFDF-13
Diodes Incorporated - DMN2022UFDF-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN2022UFDF-13

Attributs du produit	Valeur des attributs
Fabricant	Diodes Incorporated
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	U-DFN2020-6 (Type F)
Séries	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	660mW (Ta)
Package / Boîte	6-UDFN Exposed Pad
Emballer	Tape & Reel (TR)

Attributs du produit	Valeur des attributs
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	907 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 8 V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7.9A (Ta)
Numéro de produit de base	DMN2022

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN2022UFDF-13

Attributs du produit
Modèle de produit	DMN2022UFDF-13	DMN2026UVT-7	DMN2020LSN-7	DMN2025UFDF-7
Fabricant	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Vgs (Max)	±8V	±10V	±12V	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	907 pF @ 10 V	887 pF @ 10 V	1149 pF @ 10 V	486 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max)	660mW (Ta)	1.15W (Ta)	610mW (Ta)	700mW (Ta)
type de FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 4A, 4.5V	24mOhm @ 6.2A, 4.5V	20mOhm @ 9.4A, 4.5V	25mOhm @ 4A, 4.5V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Emballer	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Séries	-	-	-	-
Tension drain-source (Vdss)	20 V	20 V	20 V	20 V
Numéro de produit de base	DMN2022	DMN2026	DMN2020	DMN2025
Package composant fournisseur	U-DFN2020-6 (Type F)	TSOT-26	SC-59-3	U-DFN2020-6 (Type F)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 8 V	18.4 nC @ 8 V	11.6 nC @ 4.5 V	12.3 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA	1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V	1.8V, 4.5V
Fonction FET	-	-	-	-
Package / Boîte	6-UDFN Exposed Pad	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	6-UDFN Exposed Pad
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7.9A (Ta)	6.2A (Tc)	6.9A (Ta)	6.5A (Ta)
Type de montage	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount

Fiche technique DMN2022UFDF-13 PDF

Téléchargez DMN2022UFDF-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN2022UFDF-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales: Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données: DMN2022UFDF.pdf

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