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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMN1250UFEL-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN1250UFEL-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN1250UFEL-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN1250UFEL-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
Description détaillée
Emballage
12-UFQFN Exposed Pad
Fiche technique
DMN1250UFEL.pdf
État RoHS
En stock: 116850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN1250UFEL-7
Diodes Incorporated - DMN1250UFEL-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN1250UFEL-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-QFN1515-12  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 200mA, 4.5V  
Puissance - Max 660mW  
Package / Boîte 12-UFQFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 6V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 12V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A  
Configuration 8 N-Channel, Common Gate, Common Source  
Numéro de produit de base DMN1250  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN1250UFEL-7

Attributs du produit DMN1250UFEL-7 DMN2004DWKQ-7 DMN1150UFL3-7 DMN2004DMK-7
Modèle de produit DMN1250UFEL-7 DMN2004DWKQ-7 DMN1150UFL3-7 DMN2004DMK-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Package composant fournisseur U-QFN1515-12 SOT-363 X2-DFN1310-6 (Type B) SOT-26
Configuration 8 N-Channel, Common Gate, Common Source 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A 540mA (Ta) 2A 540mA
Puissance - Max 660mW 200mW 390mW 225mW
Numéro de produit de base DMN1250 DMN2004 DMN1150 DMN2004
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 12-UFQFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-XFDFN Exposed Pad SOT-23-6
Tension drain-source (Vdss) 12V 20V 12V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 200mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 150mOhm @ 1A, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Fonction FET - - - Logic Level Gate
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 6V 150pF @ 16V 115pF @ 6V 150pF @ 16V
Séries - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 4.5V 0.95nC @ 8V 1.4nC @ 4.5V -

Fiche technique DMN1250UFEL-7 PDF

Téléchargez DMN1250UFEL-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN1250UFEL-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 06/Dec/2019.pdf
Feuilles de données
DMN1250UFEL.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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