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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMN1019USN-13
DMN1019USN-13 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMN1019USN-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMN1019USN-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMN1019USN-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
DMN1019USN.pdf
État RoHS
En stock: 389450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMN1019USN-13
Diodes Incorporated - DMN1019USN-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMN1019USN-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-59-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 680mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2426 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50.6 nC @ 8 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 2.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.3A (Ta)  
Numéro de produit de base DMN1019  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMN1019USN-13

Attributs du produit DMN1019USN-13 DMN1019UFDE-7 DMN1019USN-7 DMN1032UCB4-7
Modèle de produit DMN1019USN-13 DMN1019UFDE-7 DMN1019USN-7 DMN1032UCB4-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Dissipation de puissance (max) 680mW (Ta) 690mW (Ta) 680mW (Ta) 900mW (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base DMN1019 DMN1019 DMN1019 DMN1032
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 2.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 2.5V 1.8V, 4.5V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 6-PowerUDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 4-UFBGA, WLBGA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2426 pF @ 10 V 2425 pF @ 10 V 2426 pF @ 10 V 450 pF @ 6 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50.6 nC @ 8 V 50.6 nC @ 8 V 50.6 nC @ 8 V 4.5 nC @ 4.5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 800mV @ 250µA 800mV @ 250µA 1.2V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 12 V 12 V 12 V 12 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V 10mOhm @ 9.7A, 4.5V 10mOhm @ 9.7A, 4.5V 26mOhm @ 1A, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.3A (Ta) 11A (Ta) 9.3A (Ta) 4.8A (Ta)
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Package composant fournisseur SC-59-3 U-DFN2020-6 (Type E) SC-59-3 U-WLB1010-4

Fiche technique DMN1019USN-13 PDF

Téléchargez DMN1019USN-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMN1019USN-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 05/Dec/2019.pdf
Feuilles de données
DMN1019USN.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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