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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMG7401SFGQ-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMG7401SFGQ-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMG7401SFGQ-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMG7401SFGQ-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
DMG7401SFGQ.pdf
État RoHS
En stock: 4030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMG7401SFGQ-7
Diodes Incorporated - DMG7401SFGQ-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMG7401SFGQ-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerDI3333-8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 940mW (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2987 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 20V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.8A (Ta)  
Numéro de produit de base DMG7401  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMG7401SFGQ-7

Attributs du produit DMG7401SFGQ-7 DMG6968UQ-7 DMG7702SFG-13 DMG7401SFG-13
Modèle de produit DMG7401SFGQ-7 DMG6968UQ-7 DMG7702SFG-13 DMG7401SFG-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Fonction FET - - Schottky Diode (Body) -
Package composant fournisseur PowerDI3333-8 SOT-23-3 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
Numéro de produit de base DMG7401 DMG6968 DMG7702 DMG7401
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 900mV @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2987 pF @ 15 V 151 pF @ 10 V 4310 pF @ 15 V 2987 pF @ 15 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 20V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 10mOhm @ 13.5A, 10V 11mOhm @ 12A, 20V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.8A (Ta) 6.5A (Ta) 12A (Ta) 9.8A (Ta)
Package / Boîte 8-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 20V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 940mW (Ta) 1.3W (Ta) 890mW (Ta) 940mW (Ta)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±25V ±12V ±20V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 8.5 nC @ 4.5 V 14.7 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V

Fiche technique DMG7401SFGQ-7 PDF

Téléchargez DMG7401SFGQ-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMG7401SFGQ-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 2/Sep/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Assembly/Test Site 24/Aug/2021.pdf
Feuilles de données
DMG7401SFGQ.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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