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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMG6968U-7
DMG6968U-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMG6968U-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMG6968U-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMG6968U-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
DMG6968U.pdf
État RoHS
En stock: 362060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMG6968U-7
Diodes Incorporated - DMG6968U-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMG6968U-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 151 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta)  
Numéro de produit de base DMG6968  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMG6968U-7

Attributs du produit DMG6968U-7 DMG7401SFG-13 DMG6968UQ-7 DMG6898LSD
Modèle de produit DMG6968U-7 DMG7401SFG-13 DMG6968UQ-7 DMG6898LSD
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V -
Numéro de produit de base DMG6968 DMG7401 DMG6968 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 11mOhm @ 12A, 20V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 151 pF @ 10 V 2987 pF @ 15 V 151 pF @ 10 V -
Package composant fournisseur SOT-23-3 PowerDI3333-8 SOT-23-3 -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 940mW (Ta) 1.3W (Ta) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 4.5V, 20V 1.8V, 4.5V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V 58 nC @ 10 V 8.5 nC @ 4.5 V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel -
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 3V @ 250µA 900mV @ 250µA -
Vgs (Max) ±12V ±25V ±12V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta) 9.8A (Ta) 6.5A (Ta) -
Fonction FET - - - -

Fiche technique DMG6968U-7 PDF

Téléchargez DMG6968U-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMG6968U-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Autre
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
Conception / spécification PCN
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019.pdf
Feuilles de données
DMG6968U.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMG6968U-7

Diodes Incorporated
32D-DMG6968U-7

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