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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesDGD2108S8-13
DGD2108S8-13 Image
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DGD2108S8-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DGD2108S8-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DGD2108S8-13
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Emballage
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Fiche technique
DGD2108.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 9670

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques DGD2108S8-13
Diodes Incorporated - DGD2108S8-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DGD2108S8-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 35ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 0.6V, 2.5V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 290mA, 600mA  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base DGD2108  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DGD2108S8-13

Attributs du produit DGD2108S8-13 DGD2117S8-13 DGD2181S8-13 DGD2104S8-13
Modèle de produit DGD2108S8-13 DGD2117S8-13 DGD2181S8-13 DGD2104S8-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Évier) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 1.9A, 2.3A 290mA, 600mA
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Nombre de conducteurs 2 1 2 2
Séries - - - -
courant de charge Independent Single Independent Synchronous
Numéro de produit de base DGD2108 DGD2117 DGD2181 DGD2104
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 35ns 75ns, 35ns 40ns, 20ns 70ns, 35ns
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension logique - VIL, VIH 0.6V, 2.5V 6V, 9.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration pilotée Half-Bridge High-Side Half-Bridge Half-Bridge
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO

Fiche technique DGD2108S8-13 PDF

Téléchargez DGD2108S8-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DGD2108S8-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Cylindrical Battery Holders.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf
Feuilles de données
DGD2108.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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