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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSS8402DW-7
BSS8402DW-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSS8402DW-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
BSS8402DW-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-BSS8402DW-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
BSS8402DW Datasheet.pdf
En stock: 3740

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSS8402DW-7
Diodes Incorporated - BSS8402DW-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - BSS8402DW-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-363  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V  
Puissance - Max 200mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V, 50V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA, 130mA  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base BSS8402  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated BSS8402DW-7

Attributs du produit BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-G BSS8402DWQ-7 BSS8402DW-7-F
Modèle de produit BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-G BSS8402DWQ-7 BSS8402DW-7-F
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA, 130mA 115mA (Ta), 130mA (Ta) 115mA, 130mA 115mA, 130mA
Package composant fournisseur SOT-363 SOT-363 SOT-363 SOT-363
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V 13.5Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60V, 50V 60V, 50V 60V, 50V 60V, 50V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 50pF @ 25V, 45pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V
Puissance - Max 200mW 200mW (Ta) 200mW 200mW
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Fonction FET Logic Level Gate Standard Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration N and P-Channel - N and P-Channel N and P-Channel
Séries - - - -
Numéro de produit de base BSS8402 - BSS8402 BSS8402
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Fiche technique BSS8402DW-7 PDF

Téléchargez BSS8402DW-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour BSS8402DW-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Green Encapsulate Change 09/July/2007.pdf
Feuilles de données
BSS8402DW Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BSS8402DW-7

Diodes Incorporated
32D-BSS8402DW-7

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