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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPS03N60C3
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPS03N60C3 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPS03N60C3
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPS03N60C3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Fiche technique
SPS03N60C3.pdf
En stock: 4900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPS03N60C3
Infineon Technologies - SPS03N60C3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPS03N60C3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 135µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO251-3-11  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Tc)  
Numéro de produit de base SPS03N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPS03N60C3

Attributs du produit SPS03N60C3 SPS02N60C3 SPS04N60C3 SPS01N60C3
Modèle de produit SPS03N60C3 SPS02N60C3 SPS04N60C3 SPS01N60C3
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V
Numéro de produit de base SPS03N SPS02N - SPS01N
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc) 25W (Tc) 50W (Tc) 11W (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO251-3-11 PG-TO251-3-11 PG-TO251 PG-TO251-3-11
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 650 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Tc) 1.8A (Tc) 4.5A (Tc) 800mA (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 135µA 3.9V @ 80µA 3.9V @ 200µA 3.9V @ 250µA
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique SPS03N60C3 PDF

Téléchargez SPS03N60C3 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPS03N60C3 - Infineon Technologies.

Feuilles de données
SPS03N60C3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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