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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPP80N03S2-03
SPP80N03S2-03 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPP80N03S2-03 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPP80N03S2-03
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPP80N03S2-03
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
SP(I,P,B)80N03S2-03.pdf
En stock: 3710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPP80N03S2-03
Infineon Technologies - SPP80N03S2-03 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPP80N03S2-03

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7020 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base SPP80N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPP80N03S2-03

Attributs du produit SPP80N03S2-03 SPP80N04S2-H4 SPP80N04S2-04 SPP80N06S2-08
Modèle de produit SPP80N03S2-03 SPP80N04S2-H4 SPP80N04S2-04 SPP80N06S2-08
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7020 pF @ 25 V 5890 pF @ 25 V 6980 pF @ 25 V 3800 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 80A, 10V 4mOhm @ 80A, 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 8mOhm @ 58A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 40 V 55 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 148 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 215W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base SPP80N SPP80N SPP80N SPP80N
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1

Fiche technique SPP80N03S2-03 PDF

Téléchargez SPP80N03S2-03 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPP80N03S2-03 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf
Feuilles de données
SP(I,P,B)80N03S2-03.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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