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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPP47N10
SPP47N10 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPP47N10 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPP47N10
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPP47N10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
SP(I,P,B)47N10.pdf
En stock: 5270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPP47N10
Infineon Technologies - SPP47N10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPP47N10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 33A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 175W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc)  
Numéro de produit de base SPP47N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPP47N10

Attributs du produit SPP47N10 SPP47N10L SPP42N03S2L-13 SPP4435S8RG
Modèle de produit SPP47N10 SPP47N10L SPP42N03S2L-13 SPP4435S8RG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies VBSEMI
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc) 47A (Tc) 42A (Tc) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 1130 pF @ 25 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA 2V @ 2mA 2V @ 37µA -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 30.5 nC @ 10 V -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 33A, 10V 26mOhm @ 33A, 10V 12.9mOhm @ 21A, 10V -
Dissipation de puissance (max) 175W (Tc) 175W (Tc) 83W (Tc) -
Numéro de produit de base SPP47N SPP47N SPP42N -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 30 V -
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube -
Séries SIPMOS® SIPMOS® OptiMOS™ -

Fiche technique SPP47N10 PDF

Téléchargez SPP47N10 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPP47N10 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
SP(I,P,B)47N10.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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