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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPP15P10PHXKSA1
SPP15P10PHXKSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPP15P10PHXKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPP15P10PHXKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPP15P10PHXKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
SPP15P10PHXKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 4530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPP15P10PHXKSA1
Infineon Technologies - SPP15P10PHXKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPP15P10PHXKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1.54mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 10.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 128W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base SPP15P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPP15P10PHXKSA1

Attributs du produit SPP15P10PHXKSA1 SPP15N60C3 SPP15P10P H SPP15P10PH
Modèle de produit SPP15P10PHXKSA1 SPP15N60C3 SPP15P10P H SPP15P10PH
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V
Numéro de produit de base SPP15P - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries SIPMOS® - Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 10.6A, 10V 280mOhm @ 9.4A, 10V 240mOhm @ 10.6A, 10V 240mOhm @ 10.6A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Dissipation de puissance (max) 128W (Tc) 156W (Tc) 128W (Tc) 128W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 600 V 100 V 100 V
Emballer Tube - Bulk Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1.54mA 3.9V @ 675µA 2.1V @ 1.54mA 2.1V @ 1.54mA
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 1280 pF @ 25 V 1280 pF @ 25 V

Fiche technique SPP15P10PHXKSA1 PDF

Téléchargez SPP15P10PHXKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPP15P10PHXKSA1 - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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