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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPP03N60S5
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPP03N60S5 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPP03N60S5
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPP03N60S5
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
SPP03N60S5.pdf
État RoHS
En stock: 80820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPP03N60S5
Infineon Technologies - SPP03N60S5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPP03N60S5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 135µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPP03N60S5

Attributs du produit SPP03N60S5 SPP04N60S5 SPP02N60S5 SPP04N60C2
Modèle de produit SPP03N60S5 SPP04N60S5 SPP02N60S5 SPP04N60C2
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 580 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 580 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 22.9 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 22.9 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Tc) 4.5A (Tc) 1.8A (Tc) 4.5A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 135µA 5.5V @ 200µA 5.5V @ 80µA 5.5V @ 200µA
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc) 50W (Tc) 25W (Tc) 50W (Tc)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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