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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPD50P03LGBTMA1
SPD50P03LGBTMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPD50P03LGBTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPD50P03LGBTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPD50P03LGBTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Description détaillée
Emballage
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Fiche technique
SPD50P03LGBTMA1.pdf
État RoHS
En stock: 38662

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPD50P03LGBTMA1
Infineon Technologies - SPD50P03LGBTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPD50P03LGBTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-5  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6880 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 126 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base SPD50P03  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPD50P03LGBTMA1

Attributs du produit SPD50P03LGBTMA1 SPD50N03S2L06T SPD50P03L SPD50N06S2L-13
Modèle de produit SPD50P03LGBTMA1 SPD50N03S2L06T SPD50P03L SPD50N06S2L-13
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Package composant fournisseur PG-TO252-5 PG-TO252-3-11 PG-TO252-5-3 PG-TO252-3-11
Package / Boîte TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6880 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 6880 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base SPD50P03 SPD50N SPD50P SPD50N
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 85µA 2V @ 250µA 2V @ 80µA
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 126 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V 6.4mOhm @ 50A, 10V 7mOhm @ 50A, 10V 12.7mOhm @ 34A, 10V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 136W (Tc) - 136W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 55 V

Fiche technique SPD50P03LGBTMA1 PDF

Téléchargez SPD50P03LGBTMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPD50P03LGBTMA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Cover Tape Width Update 17/Jun/2015.pdf Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SPD50P03LGBTMA1

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