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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPD35N10
SPD35N10 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPD35N10 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPD35N10
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPD35N10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SPD35N10.pdf
En stock: 4860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPD35N10
Infineon Technologies - SPD35N10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPD35N10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 26.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)  
Numéro de produit de base SPD35N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPD35N10

Attributs du produit SPD35N10 SPD30P06PGBTMA1 SPD50N03S2-07 SPD50N03S2L-06G
Modèle de produit SPD35N10 SPD30P06PGBTMA1 SPD50N03S2-07 SPD50N03S2L-06G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 30 V -
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 1.7mA 4V @ 85µA -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V 1535 pF @ 25 V 2170 pF @ 25 V -
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 26.4A, 10V 75mOhm @ 21.5A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 125W (Tc) 136W (Tc) -
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 -
Numéro de produit de base SPD35N SPD30P06 SPD50N -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 46.5 nC @ 10 V -
Séries SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® OptiMOS™ *
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc) 30A (Tc) 50A (Tc) -

Fiche technique SPD35N10 PDF

Téléchargez SPD35N10 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPD35N10 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf
Feuilles de données
SPD35N10.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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