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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPA20N60C3
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPA20N60C3 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPA20N60C3
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPA20N60C3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
SPA20N60C3.pdf
État RoHS
En stock: 5350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPA20N60C3
Infineon Technologies - SPA20N60C3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPA20N60C3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-111  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 34.5W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20.7A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPA20N60C3

Attributs du produit SPA20N60C3 SPA20N60CFD SPA17N80C3 17N80C3 SPA2118Z
Modèle de produit SPA20N60C3 SPA20N60CFD SPA17N80C3 17N80C3 SPA2118Z
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) RFMD
Package composant fournisseur PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-313 - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V - -
Dissipation de puissance (max) 34.5W (Tc) 35W (Tc) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA 5V @ 1mA - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20.7A (Tc) 20.7A (Tc) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V - -
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V - -
Type de montage Through Hole Through Hole - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V 220mOhm @ 13.1A, 10V - -
Emballer Bulk Bulk - -

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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