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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSN7002WH6327XTSA1
SN7002WH6327XTSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SN7002WH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SN7002WH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SN7002WH6327XTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
SN7002WH6327XTSA1.pdf
État RoHS
En stock: 390200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SN7002WH6327XTSA1
Infineon Technologies - SN7002WH6327XTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SN7002WH6327XTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT323  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 230mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 230mA (Ta)  
Numéro de produit de base SN7002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SN7002WH6327XTSA1

Attributs du produit SN7002WH6327XTSA1 SN7002NE6327 SN7002NH6327XTSA2 SN7002WL6327
Modèle de produit SN7002WH6327XTSA1 SN7002NE6327 SN7002NH6327XTSA2 SN7002WL6327
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 500mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Package composant fournisseur PG-SOT323 PG-SOT23-3-5 PG-SOT23 PG-SOT323-3-2
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 230mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Ta) 230mA (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base SN7002 - SN7002 -
Séries SIPMOS® SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® SIPMOS®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 230mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA

Fiche technique SN7002WH6327XTSA1 PDF

Téléchargez SN7002WH6327XTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SN7002WH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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