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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleSMBTA56E6327HTSA1
SMBTA56E6327HTSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SMBTA56E6327HTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SMBTA56E6327HTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SMBTA56E6327HTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
SMBTA56E6327HTSA1.pdf
État RoHS
En stock: 628400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SMBTA56E6327HTSA1
Infineon Technologies - SMBTA56E6327HTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SMBTA56E6327HTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur PG-SOT23  
Séries -  
Puissance - Max 330 mW  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 100MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500 mA  
Numéro de produit de base SMBTA56  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SMBTA56E6327HTSA1

Attributs du produit SMBTA56E6327HTSA1 SMBTA14E6327 SMBTA42E6327 SMBTA56E6327
Modèle de produit SMBTA56E6327HTSA1 SMBTA14E6327 SMBTA42E6327 SMBTA56E6327
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V 20000 @ 100mA, 5V 40 @ 30mA, 10V 100 @ 100mA, 1V
Numéro de produit de base SMBTA56 - - -
Transistor Type PNP NPN - Darlington - PNP
Séries - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500 mA 300 mA 500 mA 500 mA
Puissance - Max 330 mW 330 mW 360 mW 330 mW
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V 30 V 300 V 80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 1.5V @ 100µA, 100mA 500mV @ 2mA, 20mA 250mV @ 10mA, 100mA
Package composant fournisseur PG-SOT23 PG-SOT23-3-1 PG-SOT23-3-3 PG-SOT23
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fréquence - Transition 100MHz 125MHz 70MHz 100MHz

Fiche technique SMBTA56E6327HTSA1 PDF

Téléchargez SMBTA56E6327HTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SMBTA56E6327HTSA1 - Infineon Technologies.

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