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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI3443DVTR
SI3443DVTR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI3443DVTR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SI3443DVTR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SI3443DVTR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
Si3443DV.pdf
En stock: 5210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI3443DVTR
Infineon Technologies - SI3443DVTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SI3443DVTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.4A, 4.5V  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1079 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SI3443DVTR

Attributs du produit SI3443DVTR SI3445DV-T1-GE3 SI3443DV SI3445DV
Modèle de produit SI3443DVTR SI3445DV-T1-GE3 SI3443DV SI3445DV
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - TrenchFET® HEXFET® PowerTrench®
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tension drain-source (Vdss) 20 V 8 V 20 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1079 pF @ 10 V - 1079 pF @ 10 V 1926 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 25 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 30 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6) 6-TSOP Micro6™(TSOP-6) SuperSOT™-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.4A, 4.5V 42mOhm @ 5.6A, 4.5V 65mOhm @ 4.4A, 4.5V 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Ta) 5.6A (Ta) 4.4A (Ta) 5.5A (Ta)

Fiche technique SI3443DVTR PDF

Téléchargez SI3443DVTR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SI3443DVTR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf
Feuilles de données
Si3443DV.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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