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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSDT08S60
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SDT08S60 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SDT08S60
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SDT08S60
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2
Description détaillée
Emballage
TO-220-2
Fiche technique
SDT08S60.pdf
En stock: 3810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SDT08S60
Infineon Technologies - SDT08S60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SDT08S60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 8 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur PG-TO220-2-2  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries CoolSiC™+  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 300 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A  
Capacité à Vr, F 280pF @ 0V, 1MHz  
Numéro de produit de base SDT08S  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SDT08S60

Attributs du produit SDT08S60 SDT06S60 SDT04S60 SDT10A100CT
Modèle de produit SDT08S60 SDT06S60 SDT04S60 SDT10A100CT
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Diodes Incorporated
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V 600 V 600 V 100 V
Courant - fuite, inverse à Vr 300 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V 50 µA @ 100 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
Package composant fournisseur PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 TO-220-3
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 8 A 1.7 V @ 6 A 1.9 V @ 4 A 660 mV @ 5 A
Séries CoolSiC™+ CoolSiC™+ CoolSiC™+ -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base SDT08S SDT06S SDT04S SDT10
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
Capacité à Vr, F 280pF @ 0V, 1MHz 300pF @ 0V, 1MHz 150pF @ 0V, 1MHz -
Package / Boîte TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-3
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A 6A 4A -
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky

Fiche technique SDT08S60 PDF

Téléchargez SDT08S60 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SDT08S60 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 10/Jun/2010.pdf
Feuilles de données
SDT08S60.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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