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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleISZ019N03L5SATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ISZ019N03L5SATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
ISZ019N03L5SATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-ISZ019N03L5SATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
ISZ019N03L5SATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 66510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ISZ019N03L5SATMA1
Infineon Technologies - ISZ019N03L5SATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - ISZ019N03L5SATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TSDSON-8-FL  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 40A (Tc)  
Numéro de produit de base ISZ019  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies ISZ019N03L5SATMA1

Attributs du produit ISZ019N03L5SATMA1 R6015ENX IRFR2407PBF IRF7241PBF
Modèle de produit ISZ019N03L5SATMA1 R6015ENX IRFR2407PBF IRF7241PBF
Fabricant Infineon Technologies Rohm Semiconductor Infineon Technologies International Rectifier
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Bulk
Package / Boîte 8-PowerTDFN TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 40A (Tc) 15A (Tc) 42A (Tc) 6.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 15 V 910 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 600 V 75 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 20A, 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 26mOhm @ 25A, 10V 41mOhm @ 6.2A, 10V
Numéro de produit de base ISZ019 R6015 - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 1mA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries OptiMOS™ - HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) - 40W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TSDSON-8-FL TO-220FM D-Pak 8-SO

Fiche technique ISZ019N03L5SATMA1 PDF

Téléchargez ISZ019N03L5SATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour ISZ019N03L5SATMA1 - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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