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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLZ44ZSTRLPBF
IRLZ44ZSTRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLZ44ZSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLZ44ZSTRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLZ44ZSTRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRLZ44ZSTRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 29509

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLZ44ZSTRLPBF
Infineon Technologies - IRLZ44ZSTRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLZ44ZSTRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 31A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 51A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLZ44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLZ44ZSTRLPBF

Attributs du produit IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZS IRLZ44S IRLZ44STRR
Modèle de produit IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZS IRLZ44S IRLZ44STRR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Numéro de produit de base IRLZ44 - IRLZ44 IRLZ44
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 60 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
Séries HEXFET® HEXFET® - -
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 80W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 51A (Tc) 51A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 31A, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 5V 28mOhm @ 31A, 5V

Fiche technique IRLZ44ZSTRLPBF PDF

Téléchargez IRLZ44ZSTRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLZ44ZSTRLPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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