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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLU8726PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLU8726PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLU8726PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLU8726PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRLU8726PBF.pdf
En stock: 3950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLU8726PBF
Infineon Technologies - IRLU8726PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLU8726PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 86A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLU8726PBF

Attributs du produit IRLU8726PBF IRLU9343PBF IRLU8743PBF IRLU8259PBF
Modèle de produit IRLU8726PBF IRLU9343PBF IRLU8743PBF IRLU8259PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 86A (Tc) 20A (Tc) 160A (Tc) 57A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 25A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V 8.7mOhm @ 21A, 10V
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 79W (Tc) 135W (Tc) 48W (Tc)
Package composant fournisseur I-PAK IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) I-PAK
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 55 V 30 V 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 1V @ 250µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 25µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V 47 nC @ 10 V 59 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 15 V 660 pF @ 50 V 4880 pF @ 15 V 900 pF @ 13 V

Fiche technique IRLU8726PBF PDF

Téléchargez IRLU8726PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLU8726PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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