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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLU3636PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLU3636PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLU3636PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLU3636PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRLU3636PBF.pdf
État RoHS
En stock: 26354

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLU3636PBF
Infineon Technologies - IRLU3636PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLU3636PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3779 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLU3636  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLU3636PBF

Attributs du produit IRLU3636PBF IRLU3715ZPBF IRLU3105PBF IRLU3714ZPBF
Modèle de produit IRLU3636PBF IRLU3715ZPBF IRLU3105PBF IRLU3714ZPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3779 pF @ 50 V 810 pF @ 10 V 710 pF @ 25 V 560 pF @ 10 V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±16V ±20V - ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 37mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc) 40W (Tc) - 35W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRLU3636 - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 49A (Tc) 25A (Tc) 37A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V 7.1 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 20 V 55 V 20 V

Fiche technique IRLU3636PBF PDF

Téléchargez IRLU3636PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLU3636PBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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