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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLU2905PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLU2905PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLU2905PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLU2905PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRLU2905PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLU2905PBF
Infineon Technologies - IRLU2905PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLU2905PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLU2905PBF

Attributs du produit IRLU2905PBF IRLU2905Z IRLU120PBF IRLU2905
Modèle de produit IRLU2905PBF IRLU2905Z IRLU120PBF IRLU2905
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1570 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 7.7A (Tc) 42A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 100 V 55 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK TO-251AA I-PAK
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 5V 27mOhm @ 25A, 10V

Fiche technique IRLU2905PBF PDF

Téléchargez IRLU2905PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLU2905PBF - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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