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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR8729TRLPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR8729TRLPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRLR8729TRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR8729TRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IRLR8729 - 20V-30V N-CHANNEL
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR8729TRLPBF.pdf
En stock: 4620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR8729TRLPBF
International Rectifier - IRLR8729TRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRLR8729TRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 58A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLR8729  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRLR8729TRLPBF

Attributs du produit IRLR8729TRLPBF IRLR8743PBF IRLR8726TRPBF IRLR8729PBF
Modèle de produit IRLR8729TRLPBF IRLR8743PBF IRLR8726TRPBF IRLR8729PBF
Fabricant International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 58A (Tc) 160A (Tc) 86A (Tc) 58A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc) 135W (Tc) 75W (Tc) 55W (Tc)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V 4880 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 1350 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Numéro de produit de base IRLR8729 - IRLR8726 -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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