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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR8721TRPBF
IRLR8721TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR8721TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR8721TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR8721TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR8721PbF, IRLU8721PbF.pdf
État RoHS
En stock: 4340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR8721TRPBF
Infineon Technologies - IRLR8721TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR8721TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR8721TRPBF

Attributs du produit IRLR8721TRPBF IRLR8726PBF IRLR8726TRLPBF IRLR8503TRRPBF
Modèle de produit IRLR8721TRPBF IRLR8726PBF IRLR8726TRLPBF IRLR8503TRRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D-Pak TO-252AA D-Pak D-Pak
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc) 44A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 3V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 62W (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 1650 pF @ 25 V

Fiche technique IRLR8721TRPBF PDF

Téléchargez IRLR8721TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR8721TRPBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IRLR8721PbF, IRLU8721PbF.pdf

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