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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR7833PBF
IRLR7833PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR7833PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR7833PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR7833PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR7833PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR7833PBF
Infineon Technologies - IRLR7833PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR7833PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR7833PBF

Attributs du produit IRLR7833PBF IRLR7833 IRLR7843TR IRLR7843PBF
Modèle de produit IRLR7833PBF IRLR7833 IRLR7843TR IRLR7843PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V 4010 pF @ 15 V 4380 pF @ 15 V 4380 pF @ 15 V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc) 140A (Tc) 161A (Tc) 161A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V

Fiche technique IRLR7833PBF PDF

Téléchargez IRLR7833PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR7833PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Pkg Type Disc 16/May/2016.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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