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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR7811WCPBF
IRLR7811WCPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR7811WCPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR7811WCPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR7811WCPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR7811WCPbF.pdf
En stock: 4940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR7811WCPBF
Infineon Technologies - IRLR7811WCPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR7811WCPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR7811WCPBF

Attributs du produit IRLR7811WCPBF IRLR7821PBF IRLR7821TRLPBF IRLR7811WPBF
Modèle de produit IRLR7811WCPBF IRLR7821PBF IRLR7821TRLPBF IRLR7811WPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 65A (Tc) 65A (Tc) 64A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V 2260 pF @ 15 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 71W (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 10.5mOhm @ 15A, 10V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRLR7811WCPBF PDF

Téléchargez IRLR7811WCPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR7811WCPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IRLR7811WCPbF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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