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IRLR6225TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR6225TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR6225TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR6225TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR6225TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 54630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR6225TRPBF
Infineon Technologies - IRLR6225TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR6225TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLR6225  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR6225TRPBF

Attributs du produit IRLR6225TRPBF IRLR4343PBF IRLR4343 IRLR6225PBF
Modèle de produit IRLR6225TRPBF IRLR4343PBF IRLR4343 IRLR6225PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 4.5V 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 4mOhm @ 21A, 4.5V
Numéro de produit de base IRLR6225 - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 26A (Tc) 26A (Tc) 100A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 4.5 V 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 72 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20 V 55 V 55 V 20 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.1V @ 50µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc) 63W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 10 V 740 pF @ 50 V 740 pF @ 50 V 3770 pF @ 10 V

Fiche technique IRLR6225TRPBF PDF

Téléchargez IRLR6225TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR6225TRPBF - Infineon Technologies.

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