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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR3110ZPBF
IRLR3110ZPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR3110ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR3110ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR3110ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR3110ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 5290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR3110ZPBF
Infineon Technologies - IRLR3110ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR3110ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR3110ZPBF

Attributs du produit IRLR3110ZPBF IRLR3105PBF IRLR3303PBF IRLR3103TRR
Modèle de produit IRLR3110ZPBF IRLR3105PBF IRLR3303PBF IRLR3103TRR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V 37mOhm @ 15A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V 19mOhm @ 33A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V 26 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 25A (Tc) 35A (Tc) 55A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 55 V 30 V 30 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 57W (Tc) 68W (Tc) 107W (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRLR3110ZPBF PDF

Téléchargez IRLR3110ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR3110ZPBF - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Brésil 7
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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