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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR3103TR
IRLR3103TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR3103TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR3103TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR3103TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR3103TR.pdf
En stock: 5040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR3103TR
Infineon Technologies - IRLR3103TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR3103TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 33A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR3103TR

Attributs du produit IRLR3103TR IRLR2905ZTRPBF IRLR3105TRPBF IRLR2908PBF
Modèle de produit IRLR3103TR IRLR2905ZTRPBF IRLR3105TRPBF IRLR2908PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc) 42A (Tc) 25A (Tc) 30A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 1570 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 33 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc) 110W (Tc) 57W (Tc) 120W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 55 V 55 V 80 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 33A, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V 37mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 23A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRLR3103TR PDF

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Autres documents connexes
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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