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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR024NPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR024NPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRLR024NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR024NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR024NPBF.pdf
En stock: 5140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR024NPBF
International Rectifier - IRLR024NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRLR024NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRLR024NPBF

Attributs du produit IRLR024NPBF IRLR024 IRLR014TR IRLR014TRLPBF
Modèle de produit IRLR024NPBF IRLR024 IRLR014TR IRLR014TRLPBF
Fabricant International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Séries HEXFET® - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±10V ±10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V 60 V 60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 14A (Tc) 7.7A (Tc) 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 200mOhm @ 4.6A, 5V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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