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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLML6401TR
IRLML6401TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLML6401TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLML6401TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLML6401TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
IRLML6401.pdf
En stock: 4720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLML6401TR
Infineon Technologies - IRLML6401TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLML6401TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro3™/SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLML6401TR

Attributs du produit IRLML6401TR IRLML6401TRPBF IRLML6402TR IRLML6346TRPBF
Modèle de produit IRLML6401TR IRLML6401TRPBF IRLML6402TR IRLML6346TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 12 V 12 V 20 V 30 V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 2.9 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 10 V 830 pF @ 10 V 633 pF @ 10 V 270 pF @ 24 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Ta) 4.3A (Ta) 3.7A (Ta) 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V 50mOhm @ 4.3A, 4.5V 65mOhm @ 3.7A, 4.5V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.1V @ 10µA
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Séries - HEXFET® - HEXFET®
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

Fiche technique IRLML6401TR PDF

Téléchargez IRLML6401TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLML6401TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
(PMD) Leaded Parts 25/May/2012.pdf
Feuilles de données
IRLML6401.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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