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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLML5203
IRLML5203 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLML5203 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLML5203
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLML5203
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
IRLML5203.pdf
En stock: 5460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLML5203
Infineon Technologies - IRLML5203 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLML5203

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro3™/SOT-23  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLML5203

Attributs du produit IRLML5203 IRLML5103TR IRLML5203GTRPBF IRLML5103TRPBF
Modèle de produit IRLML5203 IRLML5103TR IRLML5203GTRPBF IRLML5103TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - - 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 75 pF @ 25 V 14nC @ 10V 75 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) - - 540mW (Ta)
type de FET P-Channel P-Channel - P-Channel
Vgs (Max) ±20V - 4.5V, 10V ±20V
Fonction FET - - P-Channel -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V - 30 V
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 98 mOhm @ 3A, 10V 1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V 2.5V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3A, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 3A (Ta) 600mOhm @ 600mA, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) 760mA (Ta) 30V 760mA (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tube Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 - Micro3™/SOT-23

Fiche technique IRLML5203 PDF

Téléchargez IRLML5203 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLML5203 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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