Spécifications
Spécifications techniques IRLML2803GTRPBF
Infineon Technologies - IRLML2803GTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLML2803GTRPBF
Attributs du produit |
Valeur des attributs
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Fabricant |
Infineon Technologies |
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Tension - Test |
85pF @ 25V |
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Tension - Ventilation |
Micro3™/SOT-23 |
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Vgs (th) (Max) @ Id |
250 mOhm @ 910mA, 10V |
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Vgs (Max) |
4.5V, 10V |
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La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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Séries |
HEXFET® |
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État RoHS |
Cut Tape (CT) |
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Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.2A (Ta) |
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Polarisation |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Autres noms |
IRLML2803GTRPBFCT |
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Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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Type de montage |
Surface Mount |
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Attributs du produit |
Valeur des attributs
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Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
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Délai de livraison standard du fabricant |
10 Weeks |
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Référence fabricant |
IRLML2803GTRPBF |
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
5nC @ 10V |
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type de IGBT |
±20V |
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Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
1V @ 250µA |
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Fonction FET |
N-Channel |
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Description élargie |
N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
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Tension drain-source (Vdss) |
- |
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La description |
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 |
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Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
30V |
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Ratio de capacité |
540mW (Ta) |
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Mode de transport
Délai de livraison
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Pays communs Référence du temps logistique |
Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
Amérique |
États-Unis |
5 |
Brésil |
7 |
L'Europe |
Allemagne |
5 |
Royaume-Uni |
4 |
Italie |
5 |
Océanie |
Australie |
6 |
Nouvelle-Zélande |
5 |
Asie |
Inde |
4 |
Japon |
4 |
Moyen-Orient |
Israël |
6 |
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
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