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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLL024ZTRPBF
IRLL024ZTRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLL024ZTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLL024ZTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLL024ZTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRLL024ZTRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 84620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLL024ZTRPBF
Infineon Technologies - IRLL024ZTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLL024ZTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLL024  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLL024ZTRPBF

Attributs du produit IRLL024ZTRPBF IRLL024ZPBF IRLL110 IRLL110TRPBF
Modèle de produit IRLL024ZTRPBF IRLL024ZPBF IRLL110 IRLL110TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Numéro de produit de base IRLL024 - IRLL110 IRLL110
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Séries HEXFET® HEXFET® - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V 60mOhm @ 3A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 100 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 5A (Tc) 1.5A (Tc) 1.5A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IRLL024ZTRPBF PDF

Téléchargez IRLL024ZTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLL024ZTRPBF - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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