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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLHS6242TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLHS6242TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLHS6242TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Description détaillée
Emballage
6-PowerVDFN
Fiche technique
IRLHS6242TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 211700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies - IRLHS6242TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLHS6242TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-PQFN (2x2) (DFN2020)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)  
Package / Boîte 6-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLHS6242  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLHS6242TRPBF

Attributs du produit IRLHS6242TRPBF IRLHS2242TRPBF IRLHS6342TRPBF IRLHS6242TR2PBF
Modèle de produit IRLHS6242TRPBF IRLHS2242TRPBF IRLHS6342TRPBF IRLHS6242TR2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 10 V 877 pF @ 10 V 1019 pF @ 25 V 1110 pF @ 10 V
Package composant fournisseur 6-PQFN (2x2) (DFN2020) 6-PQFN (2x2) (DFN2020) 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRLHS6242 IRLHS2242 IRLHS6342 -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Dissipation de puissance (max) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) 2.1W (Ta) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 12 nC @ 10 V 11 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Boîte 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 12A (Tc) 7.2A (Ta), 15A (Tc) 8.7A (Ta), 19A (Tc) 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V 31mOhm @ 8.5A, 4.5V 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

Fiche technique IRLHS6242TRPBF PDF

Téléchargez IRLHS6242TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLHS6242TRPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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