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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRL6372PBF
IRL6372PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL6372PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL6372PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL6372PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRL6372PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL6372PBF
Infineon Technologies - IRL6372PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL6372PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.1A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRL6372  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL6372PBF

Attributs du produit IRL6372PBF IRL6372TRPBF IRL6342TRPBF IRL630NS
Modèle de produit IRL6372PBF IRL6372TRPBF IRL6342TRPBF IRL630NS
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies IR
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30 V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 11 nC @ 4.5 V -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Puissance - Max 2W 2W - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.1A 8.1A 9.9A (Ta) -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V 1020pF @ 25V 1025 pF @ 25 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Numéro de produit de base IRL6372 IRL6372 IRL6342 -
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -

Fiche technique IRL6372PBF PDF

Téléchargez IRL6372PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL6372PBF - Infineon Technologies.

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Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
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Modification de l'état de la pièce PCN
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Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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