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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL3714Z
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IRL3714Z - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL3714Z
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL3714Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL3714Z(L,S).pdf
Notre certification
En stock: 3870

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRL3714Z
Infineon Technologies - IRL3714Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL3714Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL3714Z

Attributs du produit IRL3714Z IRL3714S IRL3715LPBF IRL3714LPBF
Modèle de produit IRL3714Z IRL3714S IRL3715LPBF IRL3714LPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 47W (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 36A (Tc) 54A (Tc) 36A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 1060 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V

Fiche technique IRL3714Z PDF

Téléchargez IRL3714Z PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL3714Z - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRL3714Z(L,S).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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