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IRL3705ZSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL3705ZSTRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL3705ZSTRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL3705ZSTRLPBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 31621

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRL3705ZSTRLPBF
Infineon Technologies - IRL3705ZSTRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL3705ZSTRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 52A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL3705  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL3705ZSTRLPBF

Attributs du produit IRL3705ZSTRLPBF IRL3713PBF IRL3705ZSPBF IRL3705Z
Modèle de produit IRL3705ZSTRLPBF IRL3713PBF IRL3705ZSPBF IRL3705Z
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc) 330W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 260A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 30 V 55 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 52A, 10V 3mOhm @ 38A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB D2PAK TO-220AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V 60 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±16V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Numéro de produit de base IRL3705 - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V 5890 pF @ 15 V 2880 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V

Fiche technique IRL3705ZSTRLPBF PDF

Téléchargez IRL3705ZSTRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL3705ZSTRLPBF - Infineon Technologies.

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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